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三靶磁控濺射鍍膜儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜等。該三靶磁控濺射鍍膜儀與同類設(shè)備相比，其不僅應(yīng)用廣泛，且具有體積小便于操作的優(yōu)點，是一款實驗室制備材料薄膜的理想設(shè)備
三靶磁控濺射鍍膜儀是我公司自主研發(fā)的一款高性價比磁控濺射鍍膜設(shè)備，具有標準化、模塊化、可定制化的特點。磁控靶為2英寸，客戶可以根據(jù)所鍍基板的大小自主選購；所配電源為兩個500W直流電源，一個300W射頻電源，直流電源可用于金屬薄膜的制備，兩個靶可以滿足多層或者多次鍍膜的需要。
鍍膜儀具有兩路高精度質(zhì)量流量計，客戶若另有需求可以定制至多四路質(zhì)量流量計的氣路，以滿足復(fù)雜的氣體環(huán)境構(gòu)建需求；儀器標配先進的渦輪分子泵組，極限真空可達1.0E-5Pa，同時另有其他類型的分子泵可供選購。分子泵的氣路由多個電磁閥控制，可以實現(xiàn)在不關(guān)泵的情況下打開腔體取出樣品，大大提高了您的工作效率。本產(chǎn)品可以選配一體機工控電腦對系統(tǒng)進行控制，在電腦程序上可以實現(xiàn)真空泵組的控制、濺射電源的控制等絕大多數(shù)功能，可以進一步提高您的實驗效率。
技術(shù)參數(shù)：
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產(chǎn)品名稱 |
分體式高真空三靶磁控濺射鍍膜儀 |
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產(chǎn)品型號 |
TN-MSH325-III-DCDCRF-SS |
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供電電壓 |
AC220V，50Hz |
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整機功率 |
6KW |
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系統(tǒng)真空 |
≦5×10-4Pa |
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樣品臺 |
外形尺寸 |
φ150mm |
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加熱溫度 |
≦850℃ |
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控溫精度 |
±1℃ |
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可調(diào)轉(zhuǎn)速 |
≦20rpm |
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磁控靶槍 |
靶材尺寸 |
直徑Φ50.8mm，厚度≦3mm |
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冷卻模式 |
循環(huán)水冷 |
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水流大小 |
不小于10L/Min |
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數(shù)量 |
3 |
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真空腔體 |
腔體尺寸 |
直徑φ325mm |
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腔體材質(zhì) |
SUU304不銹鋼 |
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觀察窗口 |
直徑φ100mm |
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開啟方式 |
頂開式 |
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氣體控制 |
1路質(zhì)量流量計用于控制Ar流量，量程為:200SCCM |
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真空系統(tǒng) |
配分子泵系統(tǒng)1套，氣體抽速600L/S |
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膜厚測量 |
可選配石英晶體膜厚儀，分辨率0.10 ? |
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濺射電源 |
配直流電源,功率500W*2 射頻電源300W |
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控制系統(tǒng) |
CYKY自研專業(yè)級控制系統(tǒng) |
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設(shè)備尺寸 |
570mm×1040mm×1700mm |
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設(shè)備重量 |
350kg |
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